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BASiC SiC Inside! 基本半导体进步驶入“快车途”

发布时间:2019-11-29 17:25 文章来源:未知 浏览次数:196

  耀世财团(老板Q:98377 微信:27440或98377)指日,国内第三代半导体行业领军企业——深圳根基半导体告诉了一则重磅消歇:一辆搭载了根基半导体碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管的新能源汽车,至今已累计无滞碍行驶120天、运行里程超出1万公里!

  基本半导体正不绝提疾车规级碳化硅功率器件的研发和测验,正在国内第三代半导体企业中脱颖而出,将引颈碳化硅器件技能鼎新,推动功率器件国产替换历程。

  此刻,碳化硅功率器件已杀青批量分娩,并在光伏逆变器、资产电机等物业界限上广博运用。新能源汽车是改日碳化硅功率器件的最大使用市集,手脚新能源汽车的核心部分,电控和车载电源是碳化硅功率器件的吃紧行使载体。

  碳化硅MOSFET在电机控制器中有遍及行使前景。特斯拉量产Model 3车型主逆变器采纳全碳化硅功率模块行动重心功率器件,单车搭载24颗全碳化硅功率模块。受特斯拉教诲,国内外主流主机厂正正在加速促进全碳化硅逆变器的研发做事。随着新能源汽车对电力驱动的幼型化和轻量化吁请的不绝提携,碳化硅功率器件凭借其高频高效的性子,正在成为新能源汽车行业的新宠,并将引领新能源汽车行业的妙技改善。

  根基半导体由清华大学、浙江大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院等邦内表着名高校博士团队配置,专一于碳化硅功率器件的研发与产业化,旗下碳化硅器件产业链笼罩了外延制备、芯片调节、建制工艺、封装测验、驱动使用等环节。

  2018年,根本半导体率先颁布首款始末资产级真实性测试的1200V碳化硅MOSFET,其沟途电子转移率达到14cm2/V·S,栅氧击穿场强靠拢8.8MV/cm,在Tj=150℃前提下Vth2.5V,且25℃前提下其短途耐受光阴超过6μs。始末近1年的市集测实践证,根基半导体碳化硅MOSFET还是顺手投入幼批量坐褥阶段,并在光伏逆变器、车载电源、APF、大功率充电桩电源等行业进行试用。

  同时,根本半导体自助研发的1200V/200A车规级全碳化硅功率模块已完工首批工程样品,将与邦内一线主机厂举办联合实验,推动国产碳化硅功率器件正在新能源汽车行业的应用。

  今年5月,基础半导体与广州广电计量检测股份有限公司订立战略团结制定,两边将盘绕第三代半导体功率器件睁开凹凸游全产业链实行深度合作,加快推动国产碳化硅功率器件的车规实验认证做事。8月中旬,正在国度新能源汽车妙技厘革中心构造的“华夏车规半导体首批测演习证项目”中,根基半导体碳化硅功率器件举措首批上车测验的国产车规半导体,就手完成了单车累计6000公里的极限高温测试,后续还将加入练习室考试、对标试验及整车搭载的高寒试验。

  经验十多年的提高,我们国在半导体界线的研发和改革已获得一定功勋,独特第三代半导体原料探求上紧跟世界前沿,工程工夫水准和邦际进步水准差距逐渐缩幼。如今,国内碳化硅器件家当链在逐步成立和美满,商场上碳化硅功率器件首要依靠进口,形成了邦际大厂把持的景象。面临纷乱众变的国际形式,役使进口器件的国产调换,已迫正在眉睫。

  今年5月,为了加快推进国产碳化硅功率器件正在新能源汽车边界使用的步骤,根本半导体携手邦内驰名车载电源厂商,对自主研发的碳化硅MOSFET举行了一次对标测验。实验事实显示,根基半导体的碳化硅MOSFET功能可媲美邦际一线品牌同规格产品,这将成为功率器件国产调换路道上一座危机的里程碑。

  汽车电子与5G通信、物联网被觉得是下一波拉动半导体产业提高的三驾马车。受益于行业政策扶助及环保理想广泛,展望环球及华夏新能源电动车销量的复关年扩充率将到达32%,而功率半导体动作能源更换的要点器件,占新能源汽车半导体成本超越40%,其市场将迎来发作式填补。

  面对机遇与挑战,根基半导体将加速研发更高功率密度、更大电压电流品级的碳化硅功率器件,打造高材料的国产车规级碳化硅产品,加入和叙国内车规半导体法度体例和考试认证体例,完毕碳化硅功率器件的自主可控、国产调换,帮力“中国智制”走向天下。BASiC SiC Inside! 基本半导体进步驶入“快车途”

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